技术爱好者HS Kuo分享了一张似乎是台积电内部幻灯片，显示了N3E工艺的开发进度(在新标签中打开)在推特上。最近，我们从的商业媒体那里听说，N3 将在9 月份开始量产，但从 3 月份开始，我们就没有太多关于N3E 进展的消息。

快速回顾一下，台积电 N3E 是最初计划的 N3 工艺的“增强”版本(在新标签中打开)(PDF) 在 N3 后一年进行量产。然而，郭先生新的但未注明日期的幻灯片(请加一点盐)表明 N3E 的开发进展顺利，甚至“超前”。

该图表表明，N3E SRAM 良率明显高于 N3，比风险生产提前约 6 个月开始。据称，目前 256Mb SRAM 的平均良率约为 80%。同样令人印象深刻的是，Mobile 和 HPC 测试芯片的产量约为 80%。最后，经过良率验证的环形振荡器性能优于 92%。

我们对之前关于 N3E进展顺利的报道并不感到惊讶。台积电设计的 N3E 具有改进的工艺窗口，晶体管密度略低，这自然带来了更高良率的好处。N3E 的其他吹捧的好处是更好的时钟速度和更低的功耗。

在最近的其他台积电 3nm 新闻中，商业时报报道称，代工芯片制造商可能对在美国生产 3nm 改变了主意