台积电最近宣布了其 3nm 和 2nm 制造工艺的计划。该公司预计将在今年年底前开始向 3 nm 迈进，这意味着这些芯片的制造将很快开始。另一家基于 ARM 芯片的主要制造商三星可能会通过更早开始 3nm 量产来获得时间优势。据最新报道，三星最快将于下周开始量产 3nm 芯片。

在 Snapdragon 8 Gen 1 存在问题的发热和能源问题后，三星将高通输给了台积电。现在，高通可能会与台积电合作生产 Snapdragon 8 Gen 2。这意味着三星正在失去一个关键合作伙伴。这家韩国公司需要证明自己，并且有机会用 3nm 芯片把事情做好。根据泄露的消息，与 5nm 制造工艺相比，三星的 3nm 节点将带来 35% 的面积减少、30% 的性能提升或 50% 的功耗降低。

三星正在用 3NM 节点改变制造工艺

该公司将通过切换到晶体管的环栅 (GAA) 设计来实现这一目标。这是 FinFET 之后的下一步，因为它允许代工厂缩小晶体管，而不会损害其承载电流的能力。有趣的是，三星可能会从获得坚实的帮助来增强其制造能力。

早在上个月，乔·就访问了三星在 Pyenogtaek 的制造工厂，观看了 3nm 技术演示。据报道，早在去年，三星就计划投资约 100 亿美元在德克萨斯州建立一家 3nm 代工厂。现在，投资已轻松达到 170 亿美元，并可能在 2024 年开始运营。值得注意的是，台积电也在将其业务扩展到和本土。

现在的问题是其 3nm 工艺的“良率”。根据三星的说法，3nm 工艺“接近于 4nm 工艺的水平”。据分析师称，三星的 4nm 良率存在几个问题，这些问题也可能会影响 3nm 制造工艺。我们显然期待 Exynos 2300 SoC 采用这种 3nm 制造工艺制造，并为某些 Galaxy S23 变体提供动力。与台积电一样，三星也计划在 2025 年进行 2nm 制造。