IBM 和三星联合宣布了一项突破性的芯片设计，该设计可能会显着提高手机的性能，并使手机的电池续航时间长达一周。

新型垂直传输场效应晶体管 (VTFET) 芯片 由纽约奥尔巴尼纳米技术综合体共同开发，其核心是垂直架构，而不是通常的平面方法。

通过将晶体管相互堆叠而不是通常的并排方法，这种 VTFET 芯片将 就可以装入小表面积的晶体管数量而言，这大大提高了上限。 它还将改善晶体管的接触点，从而“允许更大的电流流动而减少浪费的能量”。

由此产生的好处有望是巨大的。 IBM 和三星预测，与同类鳍式场效应晶体管 (finFET) 芯片相比，它将减少 85% 的能源使用，同时卡上的性能也提高了两倍。

在效率方面，据称这 将导致“手机电池可以使用一周而不是几天。”

自然，这种低能耗、高性能的硬件将代表物联网 (IoT) 的巨大推动力。

这似乎是 摩尔定律——晶体管数量和芯片性能每两年翻一番的长期原则——已经在最近的物理极限中突飞猛进。 旧的扁平化生产方法根本不会带来它多年来取得的巨大的、定期的收益。