据Blocks and Files 报道，X-NAND 闪存背后的公司声称已将其第二代芯片的存储速度提高了一倍(在新标签中打开)，通过启用并行数据写入。通过这种方式，X-NAND 可以从 QLC 闪存中提供 SLC 级别的性能，后者更便宜且容量更大。

Neo Semiconductor 的 X-NAND 架构可应用于所有代闪存，包括将 3D 矩阵的每个平面划分为 4 到 16 个子平面，每个子平面都可以并行访问，使用页面缓冲区优化速度。第 2 代 X-NAND(在新标签中打开)(PDF) 采用这个想法并将其压缩，使用一个平面写入另一个平面，而在此之前，它会使用三个平面写入第四个平面。请在此处查看我们的功能，以更全面地了解该技术的工作原理。

简单的解释是它加快了速度，第二代 3D X-NAND 芯片可以以 3,200 MBps 的速度写入，而不是上一代的 1,600 MBps，整个芯片的运行速度比传统的 NAND 闪存快 20 倍。还有延迟改进，但尚未发布有关此的详细信息。

Gen 2 技术获得了最佳展示奖(在新标签中打开)在今年 8 月 2 日至 4 日在加利福尼亚州圣克拉拉举行的闪存峰会上。据 Neo 介绍，新技术与当前的制造技术兼容，不会增加制造成本或芯片尺寸。

Neo Semiconductor 创始人兼首席执行官 Andy Hsu 在获奖后发表讲话时表示：“该奖项表彰了我们努力向 NAND 市场引入具有广泛功能的真正创新技术，以解决 IT 系统和消费者日益增长的性能瓶颈。产品。X-NAND Gen-2 的吞吐量是 X-NAND Gen1 的两倍，使客户能够以更大容量和更低成本的 QLC 内存实现类似 SLC 的性能。X-NAND Gen2 融合了零影响的架构和设计变更，不会增加制造成本，同时提供非凡的吞吐量和延迟改进。”