铠侠推出了其第二代 XL-Flash 存储类内存 (SCM)，它结合了低延迟、高性能和 3D NAND 闪存的容量。新的内存设备专为超高端固态硬盘以及各种 CXL 内存扩展设备而设计，这些设备必须提供良好的性能和非易失性。

铠侠的第二代 XL-Flash 与现有的 XL-Flash 设备有很大不同。首先，新的 XL-Flash 采用多级单元 (MLC) 架构，与现有的 XL-Flash相比，每个单元 (2bpc) 存储两位使用单级单元 (SLC) 架构的 XL-Flash。MLC 的使用使铠侠能够将单个第二代 XL-Flash 设备的容量增加到 256GB (32GB)，从而使其能够使用多达 8 个 IC 构建高达 2048Gb (256GB) 的 XL-Flash 芯片封装。

其次，由于 MLC 的延迟高于 SLC，Kioxia 不得不增加每台设备的平面数量，以确保更高的访问并行度以提高峰值吞吐量并部分补偿增加的延迟。最初的 XL-Flash 使用较短的位线和字线来为每个设备构建 16 个平面(即，显着多于当代 3D NAND 设备用于客户端 PC 的两个或四个平面)以提高性能。无论如何，每个第 2 代 XL-Flash IC 的平面数高于每个第 1 代 XL-Flash IC 的平面数(即超过 16 个平面)，因此可以合理地预期每个器件的带宽会增加。

铠侠承诺，其第二代 XL-Flash 存储类内存将以更低的每比特成本提供比其第一代 XL-Flash SCM 更高的性能。此外，它将允许构建更高容量的驱动器。目前看来铠侠不打算停止生产 SLC XL-Flash，所以需要这种内存的人可以购买。同时，第二代 XL-Flash 主要针对支持 CXL 的 SSD和内存扩展器，因此它们承诺在需要低延迟的应用中比现有的 PCIe/NVMe 驱动器具有优势。

铠侠表示，将于今年 11 月开始出货第二代 XL-Flash 样品，并于 2023 年开始量产。